RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3463
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link