RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
74
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2204
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link