RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
74
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1986
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link