RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
73
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2931
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link