RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
73
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
19.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
4322
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link