RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
73
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3501
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link