RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
73
Wokół strony -192% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
1870
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link