RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3366
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link