Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 16.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    30 left arrow 73
    Wokół strony -143% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.2 left arrow 1,423.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    23400 left arrow 5300
    Wokół strony 4.42 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    73 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,510.5 left arrow 16.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,423.3 left arrow 12.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 23400
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    476 left arrow 2761
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania