RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
69
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2495
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link