RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3373
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link