RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3506
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link