RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
69
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
58
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2172
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link