RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2865
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link