RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
69
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
58
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
1998
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link