RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
74
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
74
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
1616
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Super Talent SUPERTALENT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link