RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
66
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.4
1,906.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,323.0
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.1
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
703
1774
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link