RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
68
Wokół strony -162% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2740
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link