RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
68
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2902
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link