RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
64
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3246
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link