RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
64
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3000
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link