RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs INTENSO 5641162 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
INTENSO 5641162 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO 5641162 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
64
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
2799
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
INTENSO 5641162 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link