RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
61
Wokół strony -205% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,903.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,668.9
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,903.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
735
3234
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link