RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2359
3434
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link