RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
60
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
46
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2359
2660
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link