RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2298
2283
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link