RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.9
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2824
2757
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link