RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2660
2330
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link