RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3279
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link