RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3593
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link