RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3592
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link