RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3584
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link