RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3068
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link