RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2978
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link