RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2619
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link