RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2619
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link