RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
38
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
17
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3829
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link