RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2073
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link