RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2670
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO M418039 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link