RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3273
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link