RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3309
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link