RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
45
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
21
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3126
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link