RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
3929
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link