RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
47
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3430
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link