RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
47
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2774
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology ITC 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link