RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
47
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3729
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CMX16GX3M2A1333C9 8GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link