RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3675
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link