RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3600
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston K821PJ-MID 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link