RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
45
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2422
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link