RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
44
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
2915
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link