Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    44 left arrow 59
    Wokół strony 25% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.2 left arrow 13
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.7 left arrow 8.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 12800
    Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    44 left arrow 59
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.0 left arrow 17.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.2 left arrow 9.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2069 left arrow 2181
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania